As características de tensão de corrente (I-V) da junção metal-semicondutor (Au – Ni / SnO2 / Au – Ni) A barreira de Schottky em nanofios de SnO2 foram investigadas em uma ampla faixa de temperatura. Usando o modelo de Schottky – Mott, a altura da barreira de polarização zero ΦB foi estimada a partir das características I-V, e verificou-se um aumento com o aumento da temperatura; por outro lado, o fator de idealidade (n) diminuiu com o aumento da temperatura. A variação na barreira Schottky e n foram atribuídos à heterogeneidade espacial da altura da barreira Schottky. As características experimentais I-V exibiram uma distribuição Gaussiana com alturas de barreira médias FB de 0,30 eV e desvio padrão σs de 60 meV. Além disso, a constante modificada de Richardson foi obtida em 70 A cm-2 K-2, levando a uma massa efetiva de 0,58m0. Consequentemente, a dependência da temperatura das características I-V dos dispositivos de nanofios de SnO2 pode ser explicada com sucesso na estrutura da teoria de Schottky-Mott, levando-se em consideração uma distribuição gaussiana de alturas de barreira.
Coautores:
Eric P Bernardo, Edson R Leite, Adenilson J Chiquito
