Effect of inhomogeneous Schottky barrier height of SnO2 nanowires device
As características de tensão de corrente (I-V) da junção metal-semicondutor (Au – Ni / SnO2 / Au – Ni) A barreira de Schottky em nanofios de SnO2 foram investigadas em uma ampla faixa de temperatura. Usando o modelo de Schottky … Continuar lendo →